SIR798DP-T1-GE3

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Digi-Reel®

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

Schottky Diode (Body)

وضعیت بخشی

Obsolete

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

PowerPAK® SO-8

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

2.5V @ 250µA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

2.05Ohm @ 20A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

83W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

PowerPAK® SO-8

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

130nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

30V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

5050pF @ 15V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

60A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V