Menu Navigation

SIR770DP-T1-GE3
تصاویر فقط برای مرجع کلی هستند. لطفا مشخصات فنی محصول را در قسمت جزئیات محصول بررسی بفرمایید
thumb-0

SIR770DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8


تولید کننده: Vishay / Siliconix

دیتاشیت: SIR770DP-T1-GE3

قيمت:

USD $0.83

سهام: 55 pcs

پارامتر محصول

سری
TrenchFET®
نوع FET
2 N-Channel (Dual)
بسته بندی
Digi-Reel®
ویژگی FET
Logic Level Gate
وضعیت بخشی
Active
پاور مكس
17.8W
نوع نصب
Surface Mount
بسته / مورد
PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (حداکثر) @ Id
2.8V @ 250µA
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs
21mOhm @ 8A, 10V
بسته دستگاه تامین کننده
PowerPAK® SO-8 Dual
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs
21nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
30V
Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds
900pF @ 15V
جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد
8A

همچنین ممکن است علاقمند باشید به: