SIR788DP-T1-GE3

پارامتر محصول

---

سری

SkyFET®, TrenchFET®

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Cut Tape (CT)

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

Schottky Diode (Body)

وضعیت بخشی

Obsolete

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

PowerPAK® SO-8

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

2.5V @ 250µA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

3.4mOhm @ 20A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

5W (Ta), 48W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

PowerPAK® SO-8

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

75nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

30V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

2873pF @ 15V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

60A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V