SISF20DN-T1-GE3

پارامتر محصول

---

سری

TrenchFET® Gen IV

نوع FET

2 N-Channel (Dual)

بسته بندی

Cut Tape (CT)

ویژگی FET

Standard

وضعیت بخشی

Active

پاور مكس

5.2W (Ta), 69.4W (Tc)

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

PowerPAK® 1212-8SCD

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

3V @ 250µA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

13mOhm @ 7A, 10V

بسته دستگاه تامین کننده

PowerPAK® 1212-8SCD

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

33nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

60V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

1290pF @ 30V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

14A (Ta), 52A (Tc)