Menu Navigation

no images
تصاویر فقط برای مرجع کلی هستند. لطفا مشخصات فنی محصول را در قسمت جزئیات محصول بررسی بفرمایید
no images

SISF02DN-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8


تولید کننده: Vishay / Siliconix

دیتاشیت: SISF02DN-T1-GE3

قيمت:

USD $0.69

سهام: 50 pcs

پارامتر محصول

سری
TrenchFET® Gen IV
نوع FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
بسته بندی
Digi-Reel®
ویژگی FET
Standard
وضعیت بخشی
Active
پاور مكس
5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
نوع نصب
Surface Mount
بسته / مورد
PowerPAK® 1212-8SCD
Vgs(th) (حداکثر) @ Id
2.3V @ 250µA
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs
3.5mOhm @ 7A, 10V
بسته دستگاه تامین کننده
PowerPAK® 1212-8SCD
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs
56nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
25V
Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds
2650pF @ 10V
جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد
30.5A (Ta), 60A (Tc)

همچنین ممکن است علاقمند باشید به: