RJK60S7DPK-M0#T0

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Tube

ویگز (مكس)

+30V, -20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

Super Junction

وضعیت بخشی

Obsolete

نوع نصب

Through Hole

بسته / مورد

TO-3P-3, SC-65-3

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

-

دمای عملیاتی

150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

125mOhm @ 15A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

227.2W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

TO-3PSG

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

39nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

600V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

2300pF @ 25V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

30A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

10V