RJK6002DPD-00#J2

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Tape & Reel (TR)

ویگز (مكس)

±30V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

-

دمای عملیاتی

150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

6.8Ohm @ 1A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

30W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

MP-3A

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

6.2nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

600V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

165pF @ 25V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

2A (Ta)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

10V