RJK2055DPA-WS#J0

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع FET

N-Channel

ویگز (مكس)

±30V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Obsolete

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

8-PowerWDFN

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

4.5V @ 1mA

دمای عملیاتی

150°C

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

69mOhm @ 10A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

30W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

8-WPAK

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

38nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

200V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

2400pF @ 25V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

20A (Ta)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

10V