RJK2009DPM-00#T0

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Tube

ویگز (مكس)

±30V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Through Hole

بسته / مورد

TO-3PFM, SC-93-3

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

-

دمای عملیاتی

-

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

36mOhm @ 20A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

60W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

TO-3PFM

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

72nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

200V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

2900pF @ 25V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

40A (Ta)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

10V