NP100P04PDG-E1-AY

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع FET

P-Channel

بسته بندی

Tape & Reel (TR)

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

2.5V @ 1mA

دمای عملیاتی

175°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

3.5mOhm @ 50A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

1.8W (Ta), 200W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

TO-263

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

320nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

40V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

15100pF @ 10V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

100A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V