NP100N04PUK-E1-AY

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Tube

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

-

دمای عملیاتی

175°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

2.3mOhm @ 50A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

1.8W (Ta), 176W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

TO-263

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

120nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

40V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

7050pF @ 25V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

100A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

10V