HAT2197R-EL-E

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Tape & Reel (TR)

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

-

دمای عملیاتی

150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

6.7mOhm @ 8A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

2.5W (Ta)

بسته دستگاه تامین کننده

8-SOP

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

18nC @ 4.5V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

30V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

2650pF @ 10V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

16A (Ta)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V