HAT2033RWS-E

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع FET

N-Channel

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Obsolete

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

2.2V @ 1mA

دمای عملیاتی

150°C

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

38mOhm @ 4A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

2.5W (Ta)

بسته دستگاه تامین کننده

8-SOP

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

60V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

740pF @ 10V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

7A (Ta)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V