HAT2170H-EL-E

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Tape & Reel (TR)

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

SC-100, SOT-669

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

3V @ 1mA

دمای عملیاتی

150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

4.2mOhm @ 22.5A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

30W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

LFPAK

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

62nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

40V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

4650pF @ 10V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

45A (Ta)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V