2SK4150TZ-E

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Tape & Reel (TR)

ویگز (مكس)

±10V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Obsolete

نوع نصب

Through Hole

بسته / مورد

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

-

دمای عملیاتی

150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

5.7Ohm @ 200mA, 4V

قطع قدرت (حداکثر)

750mW (Ta)

بسته دستگاه تامین کننده

TO-92

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

3.7nC @ 4V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

250V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

80pF @ 25V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

400mA (Ta)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4V