2SK4017(Q)

پارامتر محصول

---

سری

U-MOSIII

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Bulk

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Through Hole

بسته / مورد

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

2.5V @ 1mA

دمای عملیاتی

150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

100mOhm @ 2.5A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

20W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

PW-MOLD2

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

15nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

60V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

730pF @ 10V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

5A (Ta)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V