IRF100P219XKMA1

پارامتر محصول

---

سری

StrongIRFET™

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Tube

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Through Hole

بسته / مورد

TO-247-3

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

3.8V @ 278µA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

1.7mOhm @ 100A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

341W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

TO-247AC

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

270nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

100V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

12020pF @ 50V

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V