IRF100B202

پارامتر محصول

---

سری

HEXFET®, StrongIRFET™

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Tube

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Through Hole

بسته / مورد

TO-220-3

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

4V @ 150µA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

8.6mOhm @ 58A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

221W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

TO-220AB

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

116nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

100V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

4476pF @ 50V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

97A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

10V