64-9145

پارامتر محصول

---

سری

HEXFET®

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Cut Tape (CT)

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Obsolete

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

DirectFET™ Isometric MX

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

2.45V @ 250µA

دمای عملیاتی

-40°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

2.7mOhm @ 27A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

DIRECTFET™ MX

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

42nC @ 4.5V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

20V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

4130pF @ 10V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

27A (Ta), 150A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V