64-9144

پارامتر محصول

---

سری

HEXFET®

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Cut Tape (CT)

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Obsolete

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

DirectFET™ Isometric ST

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

2.35V @ 250µA

دمای عملیاتی

-40°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

8.1mOhm @ 15A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

2.1W (Ta), 42W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

DIRECTFET™ ST

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

17nC @ 4.5V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

30V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

1300pF @ 15V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

14A (Ta), 55A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V