IXFT120N15P

پارامتر محصول

---

سری

PolarHT™ HiPerFET™

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Tube

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

5V @ 4mA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

16mOhm @ 500mA, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

600W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

TO-268

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

150nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

150V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

4900pF @ 25V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

120A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

10V