IXFT10N100

پارامتر محصول

---

سری

HiPerFET™

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Tube

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

4.5V @ 4mA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

1.2Ohm @ 5A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

300W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

TO-268

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

155nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

1000V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

4000pF @ 25V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

10A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

10V