SI8900EDB-T2-E1

پارامتر محصول

---

سری

TrenchFET®

نوع FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

بسته بندی

Tape & Reel (TR)

ویژگی FET

Logic Level Gate

وضعیت بخشی

Active

پاور مكس

1W

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

10-UFBGA, CSPBGA

شماره قسمت پایه

SI8900

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

1V @ 1.1mA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

-

بسته دستگاه تامین کننده

10-Micro Foot™ CSP (2x5)

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

-

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

20V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

-

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

5.4A