Menu Navigation

SI7964DP-T1-GE3
تصاویر فقط برای مرجع کلی هستند. لطفا مشخصات فنی محصول را در قسمت جزئیات محصول بررسی بفرمایید
thumb-0

SI7964DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8


تولید کننده: Vishay / Siliconix

دیتاشیت: SI7964DP-T1-GE3

قيمت:

USD $0.34

سهام: 42 pcs

پارامتر محصول

سری
TrenchFET®
نوع FET
2 N-Channel (Dual)
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
ویژگی FET
Standard
وضعیت بخشی
Obsolete
پاور مكس
1.4W
نوع نصب
Surface Mount
بسته / مورد
PowerPAK® SO-8 Dual
شماره قسمت پایه
SI7964
Vgs(th) (حداکثر) @ Id
4.5V @ 250µA
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs
23mOhm @ 9.6A, 10V
بسته دستگاه تامین کننده
PowerPAK® SO-8 Dual
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs
65nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
60V
Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds
-
جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد
6.1A

همچنین ممکن است علاقمند باشید به: