Menu Navigation

SI6562CDQ-T1-GE3
تصاویر فقط برای مرجع کلی هستند. لطفا مشخصات فنی محصول را در قسمت جزئیات محصول بررسی بفرمایید
thumb-0

SI6562CDQ-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP


تولید کننده: Vishay / Siliconix

دیتاشیت: SI6562CDQ-T1-GE3

قيمت:

USD $0.05

سهام: 4350 pcs

پارامتر محصول

سری
TrenchFET®
نوع FET
N and P-Channel
بسته بندی
Digi-Reel®
ویژگی FET
Logic Level Gate
وضعیت بخشی
Active
پاور مكس
1.6W, 1.7W
نوع نصب
Surface Mount
بسته / مورد
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
شماره قسمت پایه
SI6562
Vgs(th) (حداکثر) @ Id
1.5V @ 250µA
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs
22mOhm @ 5.7A, 4.5V
بسته دستگاه تامین کننده
8-TSSOP
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs
23nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
20V
Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds
850pF @ 10V
جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد
6.7A, 6.1A

همچنین ممکن است علاقمند باشید به: