SI4900DY-T1-GE3

پارامتر محصول

---

سری

TrenchFET®

نوع FET

2 N-Channel (Dual)

بسته بندی

Digi-Reel®

ویژگی FET

Logic Level Gate

وضعیت بخشی

Active

پاور مكس

3.1W

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

شماره قسمت پایه

SI4900

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

3V @ 250µA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

58mOhm @ 4.3A, 10V

بسته دستگاه تامین کننده

8-SO

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

20nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

60V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

665pF @ 15V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

5.3A