Menu Navigation

SI4500BDY-T1-E3
تصاویر فقط برای مرجع کلی هستند. لطفا مشخصات فنی محصول را در قسمت جزئیات محصول بررسی بفرمایید
thumb-0

SI4500BDY-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC


تولید کننده: Vishay / Siliconix

دیتاشیت: SI4500BDY-T1-E3

قيمت:

USD $0.58

سهام: 19 pcs

پارامتر محصول

سری
TrenchFET®
نوع FET
N and P-Channel, Common Drain
بسته بندی
Digi-Reel®
ویژگی FET
Logic Level Gate
وضعیت بخشی
Obsolete
پاور مكس
1.3W
نوع نصب
Surface Mount
بسته / مورد
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
شماره قسمت پایه
SI4500
Vgs(th) (حداکثر) @ Id
1.5V @ 250µA
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs
20mOhm @ 9.1A, 4.5V
بسته دستگاه تامین کننده
8-SO
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs
17nC @ 4.5V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
20V
Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds
-
جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد
6.6A, 3.8A

همچنین ممکن است علاقمند باشید به: