SI4401BDY-T1-GE3

پارامتر محصول

---

سری

TrenchFET®

نوع FET

P-Channel

بسته بندی

Digi-Reel®

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

3V @ 250µA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

14mOhm @ 10.5A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

1.5W (Ta)

بسته دستگاه تامین کننده

8-SO

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

55nC @ 5V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

40V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

8.7A (Ta)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V