SI3900DV-T1-E3

پارامتر محصول

---

سری

TrenchFET®

نوع FET

2 N-Channel (Dual)

بسته بندی

Digi-Reel®

ویژگی FET

Logic Level Gate

وضعیت بخشی

Active

پاور مكس

830mW

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

شماره قسمت پایه

SI3900

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

1.5V @ 250µA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

125mOhm @ 2.4A, 4.5V

بسته دستگاه تامین کننده

6-TSOP

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

4nC @ 4.5V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

20V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

-

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

2A