Menu Navigation

SI3529DV-T1-GE3
تصاویر فقط برای مرجع کلی هستند. لطفا مشخصات فنی محصول را در قسمت جزئیات محصول بررسی بفرمایید
thumb-0

SI3529DV-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP


تولید کننده: Vishay / Siliconix

دیتاشیت: SI3529DV-T1-GE3

قيمت:

USD $0.1

سهام: 68 pcs

پارامتر محصول

سری
TrenchFET®
نوع FET
N and P-Channel
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
ویژگی FET
Logic Level Gate
وضعیت بخشی
Obsolete
پاور مكس
1.4W
نوع نصب
Surface Mount
بسته / مورد
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (حداکثر) @ Id
3V @ 250µA
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs
125mOhm @ 2.2A, 10V
بسته دستگاه تامین کننده
6-TSOP
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs
7nC @ 10V
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
40V
Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds
205pF @ 20V
جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد
2.5A, 1.95A

همچنین ممکن است علاقمند باشید به: