SI3127DV-T1-GE3

پارامتر محصول

---

سری

TrenchFET®

نوع FET

P-Channel

بسته بندی

Digi-Reel®

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

3V @ 250µA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

89mOhm @ 1.5A, 4.5V

قطع قدرت (حداکثر)

2W (Ta), 4.2W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

6-TSOP

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

30nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

60V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

833pF @ 20V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

3.5A (Ta), 13A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V