SI2365EDS-T1-GE3 — تصاویر فقط برای مرجع کلی هستند. لطفا مشخصات فنی محصول را در قسمت جزئیات محصول بررسی بفرمایید

SI2365EDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236

تولید کننده: Vishay / Siliconix

دیتاشیت: SI2365EDS-T1-GE3

قيمت:

USD $0.09

سهام: 33000 pcs

پارامتر محصول

سری

TrenchFET®

نوع FET

P-Channel

بسته بندی

Tape & Reel (TR)

ویگز (مكس)

±8V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

1V @ 250µA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

32mOhm @ 4A, 4.5V

قطع قدرت (حداکثر)

1W (Ta), 1.7W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

TO-236

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

36nC @ 8V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

20V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

5.9A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

همچنین ممکن است علاقمند باشید به:

SI2300-TP

$0.57

SI2300DS-T1-GE3

$0.38

SI2301-TP

$0.16

SI2301A-TP

$0.01

آدرس ایمیل

نام شخص

کشور

تلفن همراه

شرکت

پیام