SI2342DS-T1-GE3

پارامتر محصول

---

سری

TrenchFET®

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Cut Tape (CT)

ویگز (مكس)

±5V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

800mV @ 250µA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

17mOhm @ 7.2A, 4.5V

قطع قدرت (حداکثر)

2.5W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

SOT-23

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

15.8nC @ 4.5V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

8V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

1070pF @ 4V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

6A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V