SI2302DDS-T1-GE3

پارامتر محصول

---

سری

TrenchFET®

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Digi-Reel®

ویگز (مكس)

±8V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

850mV @ 250µA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

57mOhm @ 3.6A, 4.5V

قطع قدرت (حداکثر)

710mW (Ta)

بسته دستگاه تامین کننده

SOT-23-3 (TO-236)

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

5.5nC @ 4.5V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

20V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

2.9A (Tj)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V