2SJ168TE85LF

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع FET

P-Channel

بسته بندی

Cut Tape (CT)

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

-

دمای عملیاتی

150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

2Ohm @ 50mA, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

200mW (Ta)

بسته دستگاه تامین کننده

SC-59

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

60V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

85pF @ 10V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

200mA (Ta)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

10V