TH58BVG2S3HBAI6

پارامتر محصول

---

Rohs

Details

برند

Toshiba Memory

بسته بندی

Tray

اندازه حافظه

4 Gbit

نوع حافظه

NAND

زیرشاخه

Memory & Data Storage

تولید کننده

Toshiba

سازمان

512 M x 8

نوع محصول

NAND Flash

پهنای اتوبوس داده

8 bit

نوع رابط

Parallel

سبک نصب

SMD/SMT

بسته / مورد

VFBGA-67

رده محصول

NAND Flash

رطوبت حساس

Yes

ولتاژ تامین - حداکثر

3.6 V

ولتاژ تامین - دقیقه

2.7 V

کارخانه کمیت بسته

338

حداکثر دمای عملیاتی

+ 85 C

حداقل دمای عملیاتی

- 40 C