TC58NVG3S0FBAID

پارامتر محصول

---

Rohs

Details

برند

Toshiba Memory

سرعت

25 ns

محصول

NAND Flash

بسته بندی

Tray

اندازه حافظه

8 Gbit

نوع حافظه

NAND

زیرشاخه

Memory & Data Storage

نوع زمان بندی

Synchronous

معماری

Block Erase

تولید کننده

Toshiba

سازمان

1 G x 8

نوع محصول

NAND Flash

پهنای اتوبوس داده

8 bit

نوع رابط

Parallel

سبک نصب

SMD/SMT

بسته / مورد

TFBGA-63

رده محصول

NAND Flash

رطوبت حساس

Yes

جریان عرضه - حداکثر

30 mA

ولتاژ تامین - حداکثر

3.6 V

ولتاژ تامین - دقیقه

2.7 V

کارخانه کمیت بسته

168

حداکثر فرکانس ساعت

-

حداکثر دمای عملیاتی

+ 85 C

حداقل دمای عملیاتی

- 40 C