FKV550N

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Bulk

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Through Hole

بسته / مورد

TO-220-3 Full Pack

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

4.2V @ 250µA

دمای عملیاتی

150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

15mOhm @ 25A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

35W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

TO-220F

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

50V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

2000pF @ 10V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

50A (Ta)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

10V