2SK3199

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Bulk

ویگز (مكس)

±30V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Through Hole

بسته / مورد

TO-220-3 Full Pack

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

4V @ 1mA

دمای عملیاتی

150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

1.5Ohm @ 2.5A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

30W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

TO-220F

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

500V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

650pF @ 10V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

5A (Ta)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

10V