STR2P3LLH6

پارامتر محصول

---

سری

STripFET™ H6

نوع FET

P-Channel

بسته بندی

Digi-Reel®

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

شماره قسمت پایه

STR2

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

2.5V @ 250µA

دمای عملیاتی

150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

56mOhm @ 1A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

350mW (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

SOT-23

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

6nC @ 4.5V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

30V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

639pF @ 25V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

2A (Ta)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V