STP100N8F6

پارامتر محصول

---

سری

STripFET™ F6

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Tube

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Through Hole

بسته / مورد

TO-220-3

شماره قسمت پایه

STP100

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

4V @ 250µA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

9mOhm @ 50A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

176W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

TO-220

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

100nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

80V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

5955pF @ 25V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

100A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

10V