STI10N62K3

پارامتر محصول

---

سری

SuperMESH3™

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Tube

ویگز (مكس)

±30V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Obsolete

نوع نصب

Through Hole

بسته / مورد

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

شماره قسمت پایه

STI10N

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

4.5V @ 100µA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

750mOhm @ 4A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

125W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

I2PAK

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

42nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

620V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

1250pF @ 50V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

8.4A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

10V