STF100N10F7

پارامتر محصول

---

سری

DeepGATE™, STripFET™ VII

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Tube

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Through Hole

بسته / مورد

TO-220-3 Full Pack

شماره قسمت پایه

STF100N

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

4.5V @ 250µA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

8mOhm @ 22.5A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

30W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

TO-220FP

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

61nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

100V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

4369pF @ 50V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

45A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

10V