STD50NH02L-1

پارامتر محصول

---

سری

STripFET™ III

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Tube

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Obsolete

نوع نصب

Through Hole

بسته / مورد

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

شماره قسمت پایه

STD50N

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

1.8V @ 250µA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

10.5mOhm @ 25A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

60W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

I-PAK

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

24nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

24V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

1400pF @ 25V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

50A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V