STB200NF04-1

پارامتر محصول

---

سری

STripFET™ II

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Tube

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Obsolete

نوع نصب

Through Hole

بسته / مورد

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

شماره قسمت پایه

STB200N

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

4V @ 250µA

دمای عملیاتی

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

3.7mOhm @ 90A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

310W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

I2PAK

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

210nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

40V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

5100pF @ 25V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

120A (Tc)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

10V