RQJ0305EQDQS#H1

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع FET

P-Channel

ویگز (مكس)

+8V, -12V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Obsolete

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

TO-243AA

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

1.4V @ 1mA

دمای عملیاتی

150°C

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

140mOhm @ 1.7A, 4.5V

قطع قدرت (حداکثر)

1.5W (Ta)

بسته دستگاه تامین کننده

UPAK

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

3nC @ 4.5V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

30V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

330pF @ 10V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

3.4A (Ta)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V