RJK5006DPD-WS#J2

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع FET

N-Channel

ویگز (مكس)

±30V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Obsolete

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

4.5V @ 1mA

دمای عملیاتی

150°C

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

1.3Ohm @ 3A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

65W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

MP-3A

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

20nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

500V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

600pF @ 25V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

6A (Ta)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

10V