RJK0301DPB-WS#J0

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع FET

N-Channel

ویگز (مكس)

+16V, -12V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Obsolete

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

SC-100, SOT-669

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

2.5V @ 1mA

دمای عملیاتی

150°C

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

2.8mOhm @ 30A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

65W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

5-LFPAK

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

32nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

30V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

5000pF @ 10V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

60A (Ta)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V