H7N1002LSTL-E

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع FET

N-Channel

بسته بندی

Tape & Reel (TR)

ویگز (مكس)

±20V

فناوری

MOSFET (Metal Oxide)

ویژگی FET

-

وضعیت بخشی

Active

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

SC-83

Vgs(th) (حداکثر) @ Id

-

دمای عملیاتی

150°C (TJ)

Rds در (حداکثر) @ شناسه ، Vgs

10mOhm @ 37.5A, 10V

قطع قدرت (حداکثر)

100W (Tc)

بسته دستگاه تامین کننده

4-LDPAK

شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs

155nC @ 10V

تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)

100V

Capacitance ورودی (سیس) (حداکثر) @ Vds

9700pF @ 10V

جریان -- تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 درجه سانتی گراد

75A (Ta)

ولتاژ درایو (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V