HIP2100EIB

پارامتر محصول

---

سری

-

نوع گیت

N-Channel MOSFET

بسته بندی

Tube

نوع ورودی

Non-Inverting

وضعیت بخشی

Obsolete

نوع کانال

Independent

نوع نصب

Surface Mount

بسته / مورد

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

شماره قسمت پایه

HIP2100

ولتاژ - عرضه

9V ~ 14V

تعداد رانندگان

2

پیکربندی رانده شده

Half-Bridge

دمای عملیاتی

-55°C ~ 150°C (TJ)

ظهور / زمان سقوط (تایپ)

10ns, 10ns

بسته دستگاه تامین کننده

8-SOIC-EP

ولتاژ منطق - VIL، VIH

4V, 7V

ولتاژ جانبی بالا - حداکثر (Bootstrap)

114V

جریان - خروجی قله (منبع، سینک)

2A, 2A